技术编号:7063378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括衬底;凸台,位于衬底上并具有预定的霍尔条形状,并具有平整的上表面;以及薄膜层,由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成,且具有与凸台相对应的形状。本发明在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时,惊奇地发现,掺杂磁性元素Cr后,(BixSb1-x)2Te3材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(BixSb1-x)2Te3材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件,拓扑绝缘体具有边态,在极低的温度条件下就可以测量量子反常...
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