技术编号:7063512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,硅通孔结构包括衬底;位于所述衬底内的通孔;位于所述衬底内的缓冲开口,所述缓冲开口位于所述通孔顶部,所述缓冲开口的侧壁相对于衬底表面倾斜,且所述缓冲开口的顶部尺寸大于底部尺寸;位于所述缓冲开口侧壁表面、以及所述通孔的侧壁和底部表面的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层表面的导电层。所述硅通孔结构的性能改善、可靠性增强。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。 背景技术 [0002]随着半导体制造技术的不断发展,半导体器件的特征尺寸...
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