技术编号:7063795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及一种半导体器件。背景技术当在衬底上、尤其是半导体衬底的主表面上生长薄膜以形成半导体器件时,半导体衬底的主表面暴露于用于形成薄膜的源气体,同时加热半导体衬底。例如,源气体可以包含III族氮化物半导体的有机金属化合物作为阳离子,或者可以包含V族元素作为阴离子。通过将源气体供应到半导体衬底的主表面上,在半导体衬底的主表面上生长薄膜。生长薄膜的上述方法称为气相生长方法。气相生长方法是一种用于外延晶体生长的方式。当使用气相生长方法在衬底上生长薄膜时...
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