技术编号：7063852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，属于半导体制造，具体包括步骤1，在所述铜导线上自下而上依次沉积第一介电阻挡层、介电层以及硬掩膜层；步骤2，以所述硬掩膜层为基础刻蚀形成一具有凹槽结构的种子层；步骤3，通过化学机械抛光工艺去除所述硬掩膜层；步骤4，在所述种子层上沉积一第二介电阻挡层；所述第二介电阻挡层为一含氧介电阻挡层。上述技术方案的有益效果是采用含氧阻挡层覆盖种子层，能够用氧元素作为驱动力将金属元素驱赶至铜导线的上表面，从而不影响铜导线中金属元素的再分配，降低铜导线的电阻。结...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。