技术编号:7063854
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括如下步骤提供一具有金属互连层的半导体衬底;于所述半导体衬底表面按照从下自上的顺序依次形成阻挡层、粘合层以及铝衬垫层;于所述铝衬垫层表面沉积一层保护层;继续形成一抗反射层以将所述保护层的表面予以覆盖。通过于铝衬垫层上设置一层保护层,并与所述保护层上表面设置一层抗反射层,以达到减小后续刻蚀工艺中受温差影响所产生的晶界损伤,以及等离子体能量过大而导致的刻蚀损伤。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及。 背景技术 [0...
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