技术编号：7063906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于半导体封装。其包括如下工艺流程提供硅基圆片，其硅衬底的上表面生长有外延层；在硅基圆片的外延层的表面通过凸块工艺形成阵列状的金属凸块；包封金属凸块，减薄包封层，露出金属凸块的表面；翻转并减薄硅衬底的另一面；借助环状的掩模或治具去除硅衬底的中部区域露出外延层的出光面，并对裸露的外延层的出光面进行微结构处理；分割外延层形成纵横交错的外延层间隔；在环状型腔内形成荧光粉层和透光层；沿外延层间隔切割，形成独立的光电二极管的封装单体。本发明提供了具有厚度...
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