技术编号:7063962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种双面生长的GaAs四结太阳电池,包括GaAs衬底,其中,所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片,在所述GaAs衬底的上表面设置有GaInP子电池、GaAs子电池、GaInNAs子电池和GaAs缓冲层,在所述GaAs衬底的下表面设置有GaxIn1-xP渐变层和GaxIn1-xAs子电池,所述GaInP子电池和GaAs子电池之间通过第三隧道结连接,所述GaAs子电池与GaInNAs子电池之间通过第二隧道结连接,所述GaInNAs子电池与...
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