技术编号:7064036
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种SOIESD两级保护网络,包括第一级保护网络,由第一二极管及第二二极管组成;第二级保护网络,包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻,其中,所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端,第二端接NMOS晶体管的漏极,所述PMOS晶体管的栅极及体区接电源线,源极接保护网络的输入端,漏极接NMOS晶体管的栅极及体区,并通过所述偏置电阻连接至地线,所述NMOS晶体管的源极接地线。本发明利用在ESD放电过程中在泄放通路中自然产生的电压降来迅...
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