技术编号:7064088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件工艺,尤其涉及,通过在单片机台中使用0.15%-2%浓度的氢氟酸溶液清洗、刻蚀去除晶片沟槽侧壁在自然条件下形成的氧化膜,然后使用氧化性化学品将晶片沟槽的硅氧化成二氧化硅,反复进行以上步骤,直到有源区的关键尺寸满足用户的需求,使用这种方法有效缩小有源区的关键尺寸,且是比较均匀的缩小有源区的关键尺寸。专利说明—种缩小有源区关键尺寸的方法 [0001]本发明涉及半导体器件工艺,尤其涉及。 背景技术 [0002]有源区的关键尺寸是半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。