技术编号:7064540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法,属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置,通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜;b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长,以使得空穴载流子能够完全激活;c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜,为后续氢原子扩散提供宿体;d.关闭碳源和硼源,并在掺硼金刚石表面增加掩膜版,使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性,使得暴露于氢原子下的轻硼...
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