技术编号:7064541
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构,包括SOI衬底;所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区,所述有源区中形成有P阱及N阱;其中所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构,所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔,其中,该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作,从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版,有利于节约生产成本;制...
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