技术编号:7064622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种提高硅基电光调谐器件的效率和带宽的掺杂结构,包括P+型掺杂区域设置在一侧外脊区靠边缘部分,并与其上方金属进行欧姆接触;P型掺杂区域设置在与P+型掺杂区域相接的外脊区,并延至内脊区上;N+型掺杂区域设置另一侧外脊区靠边缘部分,并与其上方金属进行欧姆接触;N型掺杂区域设置在与N+型掺杂区域相接的外脊区,并延至内脊区上与P型掺杂区域插指互补;准I型掺杂区域设置在P型掺杂区域和N型掺杂区域间,与P型掺杂区域和N型掺杂区域形成准PIN结,本发明在硅基...
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