技术编号:7064628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管,在集电结和发射结中引入低杂质浓度的耐压层结构提升器件的正向及反向耐压能力,利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系,实现更低的亚阈值摆幅和更好的开关特性。通过绝缘隧穿层上产生的遂穿电流作为集电极电流的驱动电流,对比普通半导体带间遂穿场效应晶体管实现更好的正向电流导通特性。本发明还提出低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管的具体制造方法。因此显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性,适用于推广...
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