技术编号：7064650
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；利用栅绝缘隧穿电流作为引发发射集电流的驱动电流，实现了更高的正向导通特性；利用发射区、基区和集电区所形成的凹槽形几何特征，对比于普通平面结构，避免了发射区、基区和集电区沿水平方向依次排列，因此节省了芯片面积，可以实现更高的集成度。另外本发明还提出了一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽...
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