技术编号:7064683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管,在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构,在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧,因此提升了隧穿电流的产生率;对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件,利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性;另外本发明还提出了一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性,适用于推广...
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