技术编号：7065261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种应力释放的掺杂氧化锌透明导电薄膜的生长方法，其特征在于包括在LED外延片上生长有三层掺杂氧化锌导电薄膜，掺杂氧化锌导电薄膜按生长顺序依次分为掺杂型ZnO接触层、掺杂型ZnO导电层和掺杂型ZnO粗糙层，所述的掺杂元素为Al、In、Ga、B中的一种或多种。本发明通过调整MOCVD腔体内部压力、锌源、掺杂源流量以及温度从而改变氧化锌薄膜的生长模式，进而导致薄膜晶体结构形成较大差异，有效释放膜层内部积聚的应力，减少并杜绝了透明导电薄膜在芯片工艺中出...
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