技术编号：7065354
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了...
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