技术编号：7065609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体激光器，所述半导体激光器由下至上依次包括衬底、材料生长缓冲层、N型包层、有源区、P型包层和电极接触层，其中有源区为量子阱区；半导体激光器的两端形成有光非吸收窗口，其中，光非吸收窗口的宽度为50～100μm，深度至少大于电极接触层、P型包层以及有源区的厚度之和。本发明同时还公开了一种半导体激光器的制备方法。本发明通过在激光器腔面上形成光非吸收窗口来提高半导体激光器的输出功率。专利说明 [0001]本发明属于半导体器件，尤其是。 ...
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