技术编号：7065848
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，所述制备方法包括提供一衬底，在所述衬底上形成前电极，所述前电极为掺杂氧化锌透明前电极；在所述前电极上形成接触层，所述接触层的形成材料为锗化物；在所述接触层上形成PIN结层；在所述PIN结层上形成背电极。相应的，本发明还提供了一种非晶硅薄膜太阳电池。本发明提供的制备方法在前电极和PIN结层之间插入一层厚度较薄的锗化物，可有效防止氧和锌进入非晶硅薄膜电池中，从而改善非晶硅薄膜的质量，提高电池的光电转换效率。专利说明...
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