技术编号:7065909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及接触孔、接触孔的制作方法,及包含该接触孔的半导体器件。 背景技术随着集成电路向超大规模集成电路发展,集成电路内部的电路密度越来越大,所包含的元件数量也越来越多,这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线。为了满足元件缩小后的互连线需求,两层及两层以上的多层金属互连线的设计成为超大规模集成电路技术常用的一种方法。目前,金属层与衬底间的导通是通过接触孔结构实现的。接触孔结构的形成目的是在有源区形成金属接触。该金属接触可以使硅和随后淀积的...
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