技术编号：7065993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及支撑和加热衬底的衬底支撑台、包括该衬底支撑台的衬底处理装置、以及由该衬底处理装置执行的用于半导体器件的制造方法。背景技术作为制造诸如DRAM之类的半导体器件的一种エ艺来执行将经等离子体处理的气 体供应到加热的衬底上以刻蚀衬底的表面的衬底处理工艺。在这样的エ艺中，衬底被安装在其温度可以升高的衬底支撑台上并且被加热到特定温度，然后经等离子体处理的气体被施加到加热的衬底上。当执行等离子体处理时，优选地将衬底的温度維持为恒量。然而，当衬底暴露于等离子体时...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。