技术编号:7066101
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种各向异性磁阻结构,将平面磁阻的长度形成长于垂直磁阻的长度,将沟槽的长度相应的增加,并且在平面磁阻超出的长度处形成第二间距,即在第一间距的基础上增加了宽度,确保了后续的刻蚀能够将平面磁阻和垂直磁阻靠近沟槽处刻蚀开,避免两者形成桥连,能够提高各向异性磁阻的性能。专利说明各向异性磁阻结构 [0001]本发明涉及半导体设计及制造领域,更具体地说,本发明涉及一种各向异性磁阻结构。 背景技术 [0002]各向异性磁阻(AMR)传感器是现代产业...
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