技术编号:7066108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,包括如下步骤(1)将GaAs衬底发光二极管的晶片与硅片键合在一起;(2)腐蚀GaAs衬底,将晶片沿垂直方向转动180度,继续腐蚀;(3)待GaAs衬底腐蚀完成后,刮除晶片边缘残留的金属膜层;(4)冲洗干净晶片表面;使用硫酸溶液对晶片表面的阻挡层进行腐蚀;(5)在晶片的对版标记处贴上面积比套刻对版标记大的耐高温胶带条;(6)然后进行N型金属电极的蒸镀,使用窗口腐蚀液腐蚀窗口;腐蚀完成后得到清晰的套刻对版标记图形。本发明通过在剥离GaAs衬底和腐蚀阻挡层两个...
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