技术编号:7066401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种集成梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元。常规SOILDMOS导通沟道宽度小,通态电流小,通态线性电阻大,输出电流能力弱。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构,增加了器件导通态的比沟道宽度,一方面减小了器件沟道电阻,增大了通态电子流...
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