技术编号:7066488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种提高压电极化强度的新型HEMT,本实用新型方法在含有AlN隔离层的AlGaN/AlN/GaN结构HEMT基础上,在GaN层下面插入了InGaN层,形成AlxGa1-xN/AlN/GaN/InyGa1-yN结构的HEMT。AlGaN、GaN之间,GaN、InGaN之间分别形成沟道,由于极化效应产生的2DEG在沟道中。插入了InGaN层,GaN/InGaN结构中GaN的晶格常数小于InN的晶格常数,使得GaN晶格应变,由应变产生的压电极化强...
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