技术编号:7066514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种外延生长结构,尤其是一种具有低漏电高发光效率的外延生长结构,属于半导体外延生长的。按照本实用新型提供的技术方案,所述具有低漏电高发光效率的外延生长结构,包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构;所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层,所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层,所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层,所述有源层上生长有电子溢出阻挡层,所述电子溢出阻挡层上生长有P型化合物半导体材料层。本实用新型结构紧凑,发光效率高,低...
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