技术编号:7066804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供了一种光电子器件。本实用新型的光电子器件包括由氟掺杂的MgxZn1-xO层形成的有源层以及设置在有源层上的金属电极层。本实用新型采用氟掺杂的MgxZn1-xO层作为有源层应用于光电子器件如紫外探测器或发光二极管中,相比于现有的此类光电子器件,本实用新型结构简单,且具有较强的光电流信号或者较高的发光强度。专利说明光电子器件 [0001] 本实用新型涉及半导体,特别是涉及一种光电子器件。 背景技术 [0002] 纤锌矿相宽禁带氧化物半导...
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