技术编号:7067040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施例基本上涉及光电转换元件。背景技术利用半导体的一般光电转换元件由于由半导体的带隙确定的吸收波长带而不能充分吸收太阳光谱。例如,硅单晶太阳能电池只能吸收300-1100纳米的光以提供大约20% 或者更小的发电效率。因此,为了提高一般的光电转换元件的发电效率,有必要将吸收区域引入到光电转换层中以吸收光电转换层本身并不能吸收的长波长的光。此外,已经提出一种增大载流子激发的方法以提供高效的光电转换元件。所述方法由于金属纳米结构中的等离子体共振而产生增强的电场。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。