技术编号:7067914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高频大功率碳化硅MOSFET模块,它包括散热基板、壳体,封装于壳体内的电路结构,壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖,电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片;所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上,在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片,碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来,并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。