技术编号:7069231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体器件或MEMS类型装置,具体为SOI装置或SOI类型装置的新结构的制造。背景技术许多MEMS(微机电系统)微系统是使用SOI (绝缘层上覆硅)材料制成的,其中SOI材料具体可用于获得悬浮在空腔上方的单晶硅膜。SOI类型材料是包括表面层2的结构,该表面层由位于绝缘层4 (通常为二氧化硅)上的单晶硅制成(图I)。例如,通过将表面被氧化的硅晶片6通过分子键合方式与另一个硅晶片组合在一起,来获得这些结构。这种组合过程包括对两个晶片进行表面处理的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。