技术编号:7069237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体地,本发明涉及一种具有多阈值电压的FinFET。背景技术随着集成电路的尺寸越来越小以及对集成电路速度的越来越苛刻的要求,晶体管需要在更小的尺寸情况下具有更高的驱动电流。由此发展出了鳍式场效应晶体管(FinFET)。与平面型器件相比,FinFET晶体管具有更好的短沟道效应(SCE),该短沟道效应使得晶体管能够持续缩小,并且由于其沟道宽度的增大实现了更高的驱动电流。通过形成沟道来实现FinFET沟槽宽度的增大,该沟道包括位于鳍的侧壁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。