技术编号:7070353
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件。背景技术作为上下电极构造的半导体元件的例子,有上下电极构造的功率MOSFET (MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)。该种功率 MOSFET 的导通电阻较大地依存于作为传导层的漂移层的电阻。决定漂移层电阻的杂质的掺杂浓度,对应于基区和漂 移层所形成的Pn结的耐压而不能増加到界限以上。因此,元件耐压和导通电阻存在权衡(trade-off)的关系。改善该权衡对于低消耗电カ元件变...
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