技术编号:7071124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有沟槽侧面的引线框架属于半导体器件。现有技术存在的问题有1.防水槽深度只有0.05~0.10毫米,如果加深则会导致芯片部、连接部的平整度下降,深度过浅的防水槽阻断效果较差;2.V字形防水槽占用部分芯片部面积,使芯片的尺寸受到限制;3.封装料与引线框架的结合强度较低。本实用新型之具有沟槽侧面的引线框架在散热固定部与芯片部之间的连接部正面设有横贯左右的矩形防水槽,其特征在于,在连接部正面以及芯片部两侧边缘的正面、背面分布网状压痕;在芯片部两侧侧面沿边缘走向分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。