技术编号:7071441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种半导体器件及其制造方法,特别是关于一种制作凹入式沟道存取晶体管(recessed channel access transistor, RCAT)器件的方法,其所制作出来的沟道存取晶体管的栅极致漏极漏电流(gate induced drain leakage, GIDL)较小。背景技术随着半导体器件尺寸的减缩,栅沟道长度亦随之缩短,其结果可能会引发短沟道效应。公知解决短沟道效应的方法包含减少栅氧化层的厚度或增加掺杂子的浓度。然而,这类方法可能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。