技术编号:7071491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子器件及太阳能电池制备,特别是一种P-CuO-n-ZnO太阳能电池及其制备方法。背景技术ZnO是一种在室温下禁带宽度为3. 37ev的η型半导体材料,激子束缚能为60mV, 是一种有前景的光电子器件和紫外发射材料。由于其优异的光电性能、无毒、低廉的价格、 高的稳定性,使其在半导体材料领域占据十分重要的地位。此外,ZnO有较高的电子迁移率, 是TiO2电子迁移率的10-100倍。一维ZnO纳米棒阵列是做太阳电池的很好的候选者,主要基于以下三点具...
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