技术编号：7071500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及场效应晶体管、场效应晶体管制造方法、固态成像装置和电子设备。背景技术近年来，半导体制造技术的不断改进有目共睹。由于在普通的平面型晶体管结构中所已知的短沟道效应，这已引起渐增的截止电流(off-current)的问题。作为对于此问题的对策，已着手研究实现所谓的多栅结构。这是设计成利用增强栅电极的静电控制能力的三维沟道区从而抑制所述短沟道效应的一种结构。下面参考图17至图18B说明平面型晶体管结构与所述多栅结构之间的主要差别。图17示出一种典型的平面...
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