技术编号：7071501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子封装领域，涉及一种金刚石-硅复合封装材料新型制备方法，具体涉及一种采用放电等离子烧结及添加烧结助剂制备致密度高、导热率高及热膨胀系数低的金刚石-硅复合封装材料方法。背景技术随着现代电子与信息技术的飞速发展，对基体材料的散热性能要求也越来越高， 研究具有综合性能良好的电子封装材料具有很大的实际意义。芯片集成度的不断提闻，电子封装向小型化、轻量化和高性能的方向发展，使得电路的工作温度不断上升，系统单位体积发热率不断增大。为了获得稳定的性能，必须改...
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