技术编号:7072553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率MOS器件及其制造方法,尤其是一种改进型终端结构的功率 MOS器件及其制造方法,属于半导体器件的。背景技术沟槽功率MOS器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小的特点, 广泛应用于各类电源管理及开关转换。沟槽功率MOS器件通常由单胞区和终端保护区组成,终端保护区主要用于确保单胞区外围单胞不率先击穿和漏电流抑制结构。漏电流不但影响关断后的静态损耗,也影响器件的可靠性。因此设计合适的终端结构对沟槽功率MOS 器件具有重要的意义。发...
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