技术编号:7072643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种GaN?基超薄势垒增强模式反相器及环振,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,负载电阻表面保留SiN,电阻沟道中存在高浓度二维电子气,呈现出电阻特性,将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。专利说明GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振...
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