技术编号:7073714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造领域,尤其涉及ー种无损铜后道可靠性测试ェ艺。背景技术随着集成电路的集成度不断提高,半导体技术也持续的飞速发展。随着半导体性能要求的不断提高,集成电路中的可靠性测试エ艺已经成为芯片制造中核心的エ序。而在当前的后道可靠性测试エ艺中,一般采用电迁移(electro-migration,简称EM)或应カ迁移(stress-migration,简称SM)测试エ艺,这两种测试エ艺均采用破坏性的測量方法,其基本原理是利用高温、高电压、大电...
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