技术编号：7073719
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及。背景技术随着集成电路关键尺寸的不断缩小，其后段互连的电阻电容延迟效应也越来越明显，该效应能够降低集成电路的运行速度。因此，对于后段互连来说，传统的铝制导线逐渐被铜制导线所取代；由于掺氟的二氧化硅具有较低的介电常数，并且可以利用传统的沉积二氧化硅的设备进行沉积，所以传统的具有较高介电常数的二氧化硅介电质层，也逐渐被具有较低介电常数的掺氟的二氧化硅介电质层所取代。掺氟的二氧化硅介电质层的化学反应式为SiH4+Si...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。