技术编号:7074806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子,涉及半导体集成电路芯片的静电释放(Electrc^tatic Discharge,简称为ESD)保护电路设计技术,尤指一种低触发电压高镇流电阻的可控硅 (Silicon Controlled Rectifier,简称 SCR) ESD 保护器件。背景技术静电放电现象是半导体器件或电路在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等过程中的一种常见现象。在ESD情况下,大量电荷会在极短时间内从集成电路(IC)体外传递或转移到内部,造成集成电路性能的退化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。