技术编号:7077088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造基础衬底的方法,所述基础衬底用于制造绝缘体型衬底上的半导体,特别是用于射频应用。背景技术目前存在用于生产射频(RF)器件的不同种类的衬底。第一种衬底包含包括绝缘体衬底上硅层的衬底,例如石英上硅(SOQ)、蓝宝石上硅(SOS)或玻璃上硅(SOG)衬底。这些衬底具有优良的射频性能,但就逻辑器件而言因硅性质较差而具有非常差的特性。此外,它们非常昂贵。第二种衬底是高电阻率(HR)的体硅衬底。“高电阻率”典型地指500 Ohm. cm以上的电阻率。...
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