技术编号：7077785
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池领域，具体涉及一种薄膜太阳能电池，第一沟槽内填充与吸收层相同的半导体，并在接触电极空缺内直接填充与背电极层相同的物质，背电极层与吸收层直接的接触的电阻很大，因而不会对太阳能电池单元的串联有影响；即在薄膜太阳能电池中不需要填充电绝缘物质，而电绝缘物质不参与光电转换，即减少了死区面积，从而避免了电绝缘物质对太阳能电池的占用，提高了太阳能电池参与光电转换的面积。另外，所述的薄膜太阳能电池在使用时，背面也能吸收地面或墙体反射的光能，而通过地...
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