技术编号：7078114
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子与固体电子学，特别是涉及一种MIS电容的制作方法。背景技术随着大规模的集成电路技术的不断发展，作为硅基集成电路核心器件的金属。氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸一直遵守着摩尔定律不断地缩小。然而MOS 管栅介质厚度越来越小，已接近其极限。二氧化硅的栅介质在IOnm厚度以下时(硅材料的加工极限一般认为是10纳米线宽)，将出现隧道电流增大，针孔缺陷和性能失效可靠性变差等问题。为了解决这些问题，一些集成电路研究制造机构已经开始探索...
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