技术编号:7078124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电,具体涉及一种半导体激光器,特别是具有高度致密的钝化层半导体激光器的制备方法。背景技术半导体激光器(DL)是近年来激光器发展的一个重要方向,由于其体积小,功率高, 寿命长等特点,在医疗、工农业加工以及军事领域中的激光武器、测距、制导、探潜等方面具有极其广阔的应用前景。DL的功率和寿命是衡量其性能的重要指标,目前腔面光学灾变现象是限制高功率DL功率和寿命提高的一个关键因素。为了防止腔面光学灾变的发生,从上世纪70年代开始各个公司与科研单位的众多...
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