技术编号:7079226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种低介电常数薄膜表面处理方法,尤其涉及一种修复化学机械研磨(CMP)后损伤的超低介电常数(K〈2. 7)薄膜的表面处理工艺。背景技术在半导体集成电路エ业中,特征尺寸不断减小和金属连线高宽比增加导致互连电容快速上升,然后引起串扰问题。另ー方面,层数增加引起的层间寄生电容的加大并产生额外的互连延时,这成了提高电路速度的主要障碍。寄生电容还増加了功耗。所有这些问题限制了电路性能的改进。高性能的集成电路芯片需要尽可能低的连线电容电阻信号延迟和信号串扰,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。