技术编号：7079367
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种包括有源区的半导体器件，有源区具有第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；第二导电类型的本体区，与基底层接触；第一导电类型的源极区，位于本体区中；第一导电类型的第一掺杂区，至少部分位于本体区之下，第一掺杂区的掺杂浓度高于基底层的掺杂浓度；发射极电极，连接到源极区；从基底层的顶部向下延伸的沟槽，含有连接到发射极电极的屏蔽电极，其中沟槽延伸到基底层中的深度比第一掺杂区深；以及栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与...
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