技术编号：7079611
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，包括Si衬底、AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n-GaN层、InyGa1-yN/GaN量子阱层、AlzGa1-zN电子阻挡层和Mg掺p-GaN层，所述AlN成核层、AlxGa1-xN步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n-GaN层、InyGa1-yN/GaN量子阱层、AlzGa1-zN电子阻挡层和Mg掺p-GaN层依次生长在Si衬底上。本实用新型中外延生...
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