技术编号:7080070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种与CMOS工艺兼容的NAND闪存结构的逻辑MTP,其包括一个PMOS晶体管和一个NCAP电容组成单元,其中NCAP电容的漏极连接编程线,NCAP电容的浮栅连接PMOS晶体管的栅极;然后由2个或多个这种单元串联组合在一起,即每个PMOS晶体管漏极连接到下一个PMOS晶体管的源极;在串联组合的首尾PMOS晶体管上再各串联一个PMOS晶体管,所有PMOS晶体管的衬底通过N阱连接在一起,所有NCAP电容的衬底通过P阱连接在一起。所述P阱可以不做在...
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